SGT MOSFET

SGT MOSFET又名屏蔽栅MOSFET,是一种采用电荷耦合技术来实现极低导通压降的单极性功率器件,是一种非常适合中低压应用的高性能器件。


芯长征科致力于开发高性能SGT MOSFET产品,目前覆盖40V~200V,最大电流达到300A,并且通过优化器件寄生电容,实现了极低FOM (RDSON*Qg) 优值产品。



产品特点

·低导通电阻,低FOM(RDSON*Qg),高EAS能力


产品

Part NumberPackage

VDSS(V)

ID(A)@25℃

V(GS)th(V)@250μA

RDS(on)(mΩ)   25℃ Max

QG(nC)
MinMax@VGS=10V@VGS=4.5V
MPGP10R065TO-220100871.12.56.5930
MPGJ10R7DFN5*6100941.12.36.5950
MPGD10R7TO-252100941.12.379.550




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