SiC SBD

芯长征的SiC SBD可实现Si FRD无法实现的极短反向恢复时间,且反向恢复特性几乎不受温度变化影响,实现器件的高速开关。


芯长征的SiC SBD,其导通过程中没有额外载流子的注入和储存,反向恢复电荷量(Qrr)小,可降低开关损耗。SiC SBD弥补了Si SBD的不足,是高压快速与低功率损耗、耐高温相结合的理想器件。


产品特点

·反向恢复电荷少,开关损耗低;

·反向恢复时间短,实现高速开关



产品

Part NumberPackageVRRM (V)

IF(A)

VF(V)@ 25℃ typQG(nC) typTechnology
@ 135℃@ 150℃@ 158℃
MPCX2N65ATO-220-2   TO-252-2650--21.45.4SiC
MPCX4N65ATO-220F-2 TO-220-2 TO-252-2650--31.47.7SiC
MPCC6N65ATO-220-26506--1.418SiC
MPCF6N65ATO-220F-2650-6-1.418SiC
MPCD6N65ATO-252-2650-6-1.418SiC
MPCX8N65ATO-220F-2 TO-220-2 TO-252-2650-8-1.4226SiC
MPCX10N65ATO-220-2   TO-252-2650-10-1.525SiC
MPCC15N65ATO-220-2650-15-1.433SiC
MPCC6N120ATO-220-21200--61.5819SiC
MPCC10N120ATO-220-21200-10-1.630SiC




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