VD MOSFET                                                                                                                                                                                      

芯长征的VD MOSFET——兼有双极晶体管和普通MOS器件的优点,无论是开关应用还是线形应用,VDMOS都是理想的功率器件。


芯长征VD MOSFET,采用条形元胞结构,通过在工艺上对N-JFET的调整,减小JFET效应,使器件的导通电阻减小,从而降低了器件工作时的温升,提高了系统的转换效率,同时在EAS能力方面具有较大优势,产品的电压覆盖范围500V~800V,电流覆盖2A~25安培,可提供更多的产品选择。


产品特点                                                                                                                                                    

·低Crss和低Qg, 降低开关损耗;

·低导通阻抗,降低导通损耗 ;

·高抗浪涌能力



产品                                                                                                               

Part Number

Package


VDSS(V)


ID(A)@25℃


V(GS)th(V)@250μA

RDS(on)(Ω)@VGS=10V 25℃


QG(nC)

min

max

typ

MPVX5N50CCFDTO-251、TO-25250053.551.414.5
MPVA13N50FTO-220F50013240.3636
MPVX20N50BTO-220F   TO-220    TO-247     TO-3P50020340.2475
MPVA20N50FTO-220F50020240.2160
MPVX2N65F

TO-220F

TO-251

TO-252

6502244.56.3
MPVX4N65F

TO-220F

TO-251

TO-252

6504242.311
MPVA7N65FTO-220F6507241.119
MPVD7N65FTO-2526507241.219
MPVA10N65FTO-220F65010240.8229
MPVA12N65FTO-220F65012240.6236
MPVX20N65FTO-220F TO-22065020240.3860
MPVX4N70FTO-220F   TO-251    TO-2527004242.911


首页           公司‍简介                 产品‍中心        技术‍实力            有哪些好的竞猜app           加入有哪些好的竞猜app

ABUIABAEGAAgv9WdvAUoxMbdwAcwIDgd

业务部:0755-21054557

ABUIABAEGAAgodadvAUowPP5hgUwFzgg

南京市江宁区九龙湖国际企业总部园A2座10层

山东省威海市荣成市崂山南路788号

深圳市龙华新区淘金地大厦E座806室

芯长征二维码.png